据报道铠侠加入应用材料公司价值 50 亿美元的 AI 内存 EPIC 中心

日本NAND闪存巨头成为最新加入美国最大芯片设备研发投资的半导体重量级企业

应用材料公司的 EPIC 中心刚刚在其名册上又添了一位大人物。全球领先的 NAND 闪存制造商之一铠侠 (KIOXIA) 即将加入耗资 50 亿美元的工厂，旨在加速下一代人工智能内存技术从实验室概念到工厂车间的发展。

此举填补了 EPIC 中心合作伙伴阵容中的一个显着空白，其中已经包括三星电子、SK 海力士、美光和台积电。 KIOXIA 的加入为协作中心带来了专门的 NAND 闪存专业知识，该中心一直更注重 DRAM 和逻辑芯片的开发。

EPIC 中心实际上做什么

EPIC 代表设备和工艺创新及商业化。把它想象成一个半导体沙箱，制造芯片的公司和制造制造这些芯片的机器的公司可以在同一个屋檐下一起进行实验，而不用花几个月的时间跨洋来回运输原型。

应用材料公司向该项目投入了50亿美元，使其成为美国先进半导体设备研发的最大投资。该工厂位于硅谷，拥有超过 180,000 平方英尺的洁净室空间。

该中心最初于 2023 年 5 月宣布成立，预计将于 2026 年投入运营。其创始合作伙伴的抵达时间错开：三星于 2026 年 2 月抵达，SK 海力士和美光于 2026 年 3 月抵达，台积电于 2026 年 5 月抵达。

操作模型是围绕集成而不是隔离而设计的。来自合作伙伴公司的客户工程师直接与应用材料公司自己的团队一起工作，这压缩了设备供应商和芯片制造商之间可能需要多年来回的传统开发周期。

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为什么铠侠对 AI 内存方程式很重要

铠侠是全球少数几家大规模生产高密度 NAND 闪存的公司之一。该公司前身是东芝的内存部门，于 2018 年分拆出来，并于 2019 年重新命名。它一直是 3D NAND 技术的持续创新者，通过垂直堆叠内存单元来增加容量，而无需扩大芯片的物理占用空间。

加入 EPIC 中心，铠侠将能够合作开发专门针对 AI 工作负载优化的存储解决方案，其中数据移动速度、电源效率和原始容量的要求与消费电子产品或传统企业存储有着根本的不同。

更广泛的半导体合作趋势

应用材料公司的赌注是，答案在于材料工程和先进封装，而不是纯粹的收缩。 EPIC中心的研究领域涵盖先进逻辑缩放、包括DRAM和HBM在内的下一代存储器架构，以及将不同芯片组件堆叠在一起的三维集成技术。

人工智能工作负载同时需要更高的带宽和更低的功耗，这需要在存储芯片的图案化、沉积、蚀刻和封装方式上进行创新。这些正是应用材料公司制造设备的流程。

2026 年的运营时间表意味着还需要一年或更长时间才能取得实际成果。但合作伙伴阵容现在几乎涵盖了内存市场的每个主要领域：通过三星、SK 海力士和美光提供 DRAM，通过这三家公司提供 HBM，通过台积电提供先进逻辑，现在通过铠侠提供高密度 NAND 闪存。