SK 海力士否认与英特尔就美国存储芯片进行谈判的计划

这家韩国芯片制造商反驳了有关英特尔俄亥俄州工厂具体讨论的报道，尽管探索性对话似乎仍在继续。

SK 海力士希望每个人都知道，事实上，它并不是在收购英特尔的俄亥俄州芯片园区。至少现在还没有，而且任何人都不应该以任何方式认为“已确认”。

在有报道称该公司正在与英特尔就美国存储芯片生产进行积极讨论后，这家韩国存储巨头做出了尖锐的否认。该公司强调，它既没有就英特尔庞大的俄亥俄州半导体工厂进行任何追求，也没有做出任何决定，同时谨慎地为未来的可能性敞开大门。

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到底发生了什么

故事开始于《韩国中央日报》报道称 SK 海力士正在讨论购买英特尔正在建设的俄亥俄州园区用于前端存储芯片生产。 SK 海力士于 2026 年 7 月回应监管澄清，断然否认任何收购谈判。

随后，路透社在 9 月份再次搅浑水，报道称两家公司之间实际上正在进行探索性讨论。不是关于彻底收购，而是关于俄亥俄州工厂的潜在合作或租赁安排。

SK 海力士证实正在评估各种生产策略，但强调目前还没有具体的方案。英特尔则重申了对其俄亥俄州业务的信心。该园区于 2022 年破土动工，但时间表已大幅推迟，目前预计将在 2030 年至 2031 年左右开始生产。

SK 海力士在美国的大局观

SK 海力士对于涉及英特尔资产的重大交易并不陌生。该公司此前以 90 亿美元收购了英特尔的 NAND 闪存业务，其中包括英特尔的大连制造工厂。

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该公司还已经向美国制造业投入了大量资金。 SK 海力士正在印第安纳州建造一座耗资 40 亿美元的先进封装工厂，计划于 2029 年下半年实现量产。该项目重点关注后端封装流程，即各个芯片组装成最终产品的阶段，最终产品将用于服务器、手机和人工智能硬件。

前端生产，即硅晶圆上存储芯片的实际制造，是完全不同的。它需要不同的设备、不同的专业知识和截然不同的资本承诺。如果 SK 海力士最终使用英特尔位于俄亥俄州的工厂进行前端内存制造，这将意味着该公司在美国的业务足迹将显着扩大到封装之外。

SK 海力士和三星主导着全球 DRAM 和 NAND 生产，目前都没有在美国境内制造存储芯片。

这对半导体领域意味着什么

理论上，租赁或合作安排可以使双方受益。英特尔获得租户或合作伙伴来帮助证明其在俄亥俄州的巨额投资是合理的。 SK 海力士无需承担全部建设负担即可使用最先进的设施。

SK 海力士并未表示永远不会考虑在英特尔工厂进行美国内存制造。据称，目前还没有确定的计划。

人工智能的繁荣使得存储芯片，尤其是 SK 海力士领先生产的高带宽存储器 (HBM)，成为全球科技供应链中最具战略意义的重要组件。