SK海力士在美国印第安纳州的40亿美元先进内存封装厂开始建设
核心要点
- 据财联社报道，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；
- 将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。
- SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。
来源 PANews发布于 2026/8/28
据财联社报道，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。