SK 海力士加速 1c DRAM 产能提升，目标到 2026 年第四季度达到 34% 份额

这家韩国芯片制造商将其下一代内存的未来押注于快速生产转移，可能会在年底超越三星

SK 海力士正在大力推进其第六代 10 纳米级 DRAM 技术，规划了一条轨迹，将 1c DRAM 从 2026 年第二季度的生产组合中约占 13% 提高到 2026 年第四季度的 34%。1c DRAM 将成为 SK 海力士 HBM4E（高带宽内存的下一代演进）的基础技术。 HBM4E计划于2027年实现量产。

生产时间表，逐季度

2026 年第一季度，SK 海力士的 1c DRAM 份额约为 10%。到第二季度，随着大量出货的进行，这一数字攀升至约 13%。该公司预计到 2026 年第三季度达到 24%，然后到第四季度跃升至 34%。

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到 2027 年第一季度，该份额预计将达到 35%，这将超过旧 1b 节点估计的 33% 份额，完成代际切换。

预计 2026 年第四季度 34% 的数字也将使 SK 海力士领先于三星预计的同一季度 31% 的 DRAM 产量份额。

SK 海力士还表示，预计 2026 年下半年比特增长将有所改善，这主要得益于 HBM4 销量的增长。

为什么 1c 对于 HBM4E 很重要

SK Hynix 于 2026 年 6 月发货了 12 层 HBM4E 样品，容量为 48 GB，每引脚数据速率为 16 Gbps。与 HBM4 相比，这些样本的功效提高了 20% 以上。

竞争格局

三星一直在为 HBM4 开发自己的 1c DRAM，据报道速度约为 11.7 Gbps。在某些方面，三星采用 1c 的时间表早于 SK 海力士。

Counterpoint Research 预计 2026 年 SK 海力士将占据 HBM4 市场 50% 左右的份额。