长鑫存储为AI处理器开发HBM3存储芯片

中国领先的 DRAM 制造商正在进军人工智能高带宽内存，但产量挑战和技术差距使其雄心变得复杂

中国最著名的国产 DRAM 制造商长鑫存储正在人工智能硬件供应链中发挥迄今为止最积极的作用。长鑫存储已开始生产高带宽存储芯片，首先向包括华为在内的主要客户提供HBM3样品，并着眼于更先进的HBM3E标准。

此举很重要，因为高带宽内存是人工智能加速器的瓶颈组件。从 Nvidia 的 H100 到 AMD 的 Instinct 系列，每一款主要的 AI 芯片都依赖 HBM 堆栈将数据足够快地传送到处理器，以跟上大型模型训练的速度。到目前为止，该市场一直由三个参与者主导：SK海力士、三星和美光。

长鑫存储实际建设了什么

长鑫存储于 2025 年下半年开始向包括华为在内的客户交付 HBM3 样品。这些芯片采用 16 nm 工艺和 8 高堆叠，这意味着 8 个独立的 DRAM 芯片垂直分层并通过硅通孔连接。

HBM3 的批量生产目标是在 2026 年底，不过分析师已经指出了下滑风险。更先进的 HBM3E 变体预计将于 2027 年推出，可提供更高的带宽和更高的能效。

技术差距是真实存在的。长鑫存储目前的能力落后行业领先者大约一到两代。 SK 海力士已经开始批量出货 HBM3E 并正在开发 HBM4。三星和美光的处境相似。

早期收益率就说明了这一差距。据报道，长鑫存储的 HBM3 生产其 8 层堆叠的产量达到了 25% 左右。就背景而言，成熟供应商的成熟 HBM 生产线通常以显着更高的产量运行。 25% 的良率意味着四分之三的芯片堆栈无法通过质量测试，而质量测试既昂贵又缓慢。

IPO打破纪录

长鑫存储于 2026 年 7 月登陆上海科创板，场面十分壮观。该公司的IPO筹集了约579亿元人民币，约合86亿美元。首日交易，该股飙升约466%，将公司估值推至约3.3万亿元人民币。

2026年上半年，长鑫存储实现收入1503亿元，同比增长874%。净利润达776亿元。

这些收益主要是由强劲的 DRAM 定价和人工智能相关的供应限制推动的，而不是具体由 HBM 收入推动。用于服务器、个人电脑和手机的传统 DRAM 仍然占长鑫存储产量的大部分。预计到 2026 年底，该公司的 DRAM 产能将达到每月约 30 万至 35 万片晶圆。

EUV问题

长鑫存储最大的结构性挑战不是野心或资本。这是对设备的访问。

该公司缺乏极紫外光刻机，这是由荷兰公司 ASML 独家制造的尖端工具，可实现最小、最高效的芯片设计。美国主导的出口管制有效地阻止了中国芯片制造商购买 EUV 系统，迫使长鑫存储等公司依赖较旧的深紫外 (DUV) 光刻技术。

DUV 仍然可以生产功能芯片，但它需要更多的处理步骤，导致特征尺寸更大，并且通常会限制最终产品相对于 EUV 制造的芯片的竞争力。特别是对于 HBM，此限制会影响 CXMT 可以生产的存储器堆栈的密度和功率效率。

这对人工智能内存市场意味着什么

CXMT 可能发挥重要作用的是中国国内市场。随着华为开发自己的人工智能加速器（包括 Ascend 系列），有一定的客户群需要 HBM，但从西方供应商那里采购的选择有限。即使在 25% 的良率和较旧的工艺节点下，长鑫存储的 HBM3 也可以填补在出口限制下构建系统的中国人工智能硬件制造商的关键空白。

如果长鑫存储确实在 2026 年底或 2027 年初实现 HBM3 量产，即使产量不大，也可以缓解中国国内市场的定价压力，同时对全球 HBM 定价的直接影响有限。更有趣的场景稍后出现：如果长鑫存储能够缩小技术差距，并在 2027 年之前以有意义的规模推进 HBM3E，那么它将成为 SK 海力士、三星和美光三巨头寡头垄断的市场中真正的第四个竞争对手。