长鑫存储为AI处理器开发HBM3存储芯片
中国领先的 DRAM 制造商正在进军人工智能高带宽内存，但产量挑战和技术差距使其雄心变得复杂 中国最著名的国产 DRAM 制造商长鑫存储正在人工智能硬件供应链中发挥迄今为止最积极的作用。长鑫存储已开始生产高带宽存储芯片，首先向包括华为在内的主要客户提供HBM3样品，并着眼于更先进的HBM3E标准。更先进的 HBM3E 变体预计将于 2027 年推出，可提供更高的带宽和更高的能效。25% 的良率意味着四分之三的芯片堆栈无法通过质量测试，而质量测试既昂贵又缓慢。
2026/8/31 · 源自 CryptoBriefing
