三星计划到 2028 年采用高数值孔径 EUV 生产 DRAM

这家存储器巨头与 ASML 的合作可能使其成为第一家将下一代光刻技术引入 DRAM 制造的芯片制造商

三星电子坚信，有史以来最昂贵的芯片制造机器将使其在内存战争中获得决定性优势。该公司于2026年9月8日宣布与ASML加强战略合作伙伴关系，承诺到2028年在DRAM量产中部署高NA EUV光刻技术。

如果三星实现这一目标，这将标志着芯片制造商首次在 DRAM 领域使用高数值孔径 EUV 技术。

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高数值孔径 EUV 的实际含义

EUV 光刻或极紫外光刻是一种利用波长仅为 13.5 纳米的光将极其微小的电路图案打印到硅晶圆上的技术。 “高数值孔径”是指镜头系统中更高的数值孔径（从 0.33 上升到 0.55），这使得机器能够以更好的分辨率打印更精细的图案。

DRAM 的实际好处：更少的制造步骤、更紧密的电路图案和更高的效率。高数值孔径 EUV 促进了单次曝光功能，简化了旧版 EUV 设备之前所需的复杂多重图案化。

这些机器并不便宜。每个高数值孔径 EUV 工具的成本在 3.5 亿至 4 亿美元之间。

12英寸光掩模移位

除了 EUV 的总体承诺外，三星还将参与 ASML 主导的 12 英寸光掩模开发计划，取代数十年来一直成为行业标准的 6 英寸格式。

光掩模本质上是用于将电路设计转移到硅晶圆上的模板。转向 12 英寸掩模预计将使制造生产率提高约 40%。

为什么先使用 DRAM，然后再使用逻辑芯片

该公司不打算在 2030 年左右之前在其逻辑和代工业务中使用高数值孔径 EUV，预计届时将达到 1 纳米级工艺节点。然而 DRAM 的目标是 2028 年。

三星首席执行官 Young Hyun Jun 以明确以人工智能为中心的术语构建了此次合作伙伴关系，并表示整个芯片价值链的技术创新在人工智能时代至关重要。

这对半导体领域意味着什么

三星的声明给竞争对手 SK 海力士和美光科技带来了压力，这两家公司是 DRAM 寡头垄断企业，共同控制着全球绝大多数 DRAM 供应。对于 ASML 来说，此次合作验证了其最先进产品线的商业可行性。 ASML是全球唯一的EUV光刻设备供应商。

台积电的目标是在 2030 年推出类似的先进节点，而英特尔则已启动了高数值孔径 EUV 技术的有限应用。对于追踪半导体供应链的投资者来说，值得关注的关键指标不是公告本身，而是三星未来两年的资本支出轨迹。高数值孔径 EUV 工具订单、设施升级和光掩模开发支出都将成为衡量 2028 年目标是否步入正轨的领先指标。