Naura声称帮助长鑫存储在3D DRAM生产方面取得突破

中国最大的半导体设备制造商表示，它已经开发出技术，可以帮助中国最大的 DRAM 生产商规避美国的制裁，并在国内扩大先进的存储芯片规模。

中国半导体自给自足的雄心刚刚注射了一针肾上腺素。中国最大的国内半导体设备制造商北方华创科技集团表示，它已经取得了一项突破，可以有意义地帮助长鑫存储技术公司（CXMT）生产3D DRAM芯片，这是一种先进的存储器，迄今为止，如果没有西方工具，仍然很难制造。

长鑫存储目前是全球第四大 DRAM 生产商，占据全球市场份额约 7.7%，尽管在美国出口限制的阴影下运营，阻碍了 EUV 光刻机等尖端设备的使用，但该公司的发展势头一直在增强。

Naura 带来了什么

Naura 尚未公开披露与其所宣布的突破相关的具体流程、性能基准或生产时间表的详细信息。众所周知，该公司的工作面向实现 3D DRAM 制造和支持高带宽内存 (HBM) 堆叠，这两者对于 AI 训练和推理等下一代计算工作负载至关重要。

对于长鑫存储来说，能够在国内采购设备，而不是从应用材料公司、泛林研究公司或 ASML 等公司进口设备，这完全改变了计算方式。美国的制裁使中国芯片制造商越来越难以获得最先进的外国工具，从而形成了瓶颈，限制了长鑫存储等公司的扩张速度。

长鑫存储的快速崛起

长鑫存储拥有多个 12 英寸 DRAM 制造工厂，近期合计产能约为每月 30 万片晶圆，并计划将这一数字翻倍。它在某些 DDR5 产品上的良率已超过 90%，这一指标使其与三星、SK 海力士和美光等老牌内存巨头处于竞争地位。

长鑫存储的DDR5模组在AMD平台上展现出了具有竞争力的性能。该公司2026年在上海证券交易所IPO筹集了约579亿元人民币，所得资金专门用于扩大DRAM晶圆生产线和升级制造工艺。

长鑫存储还计划在 2026 年末大规模生产 HBM3。高带宽内存是为 Nvidia H100 及其后续产品等人工智能加速器提供动力的燃料。 SK 海力士目前在 HBM 市场占据主导地位。

制裁背景

自2022年以来，美国逐步收紧对中国半导体技术的出口管制，限制成品芯片及其制造设备。中国企业可能会在接下来的十年里愉快地购买美国或荷兰的设备，但现在面临着开发本土解决方案的巨大压力。 Naura 处于这一努力的中心。

这对内存市场意味着什么

全球 DRAM 市场由三星、SK 海力士和美光三大厂商主导。长鑫存储 7.7% 的市场份额已使其成为重要的第四个竞争对手，其 3D DRAM 或 HBM 能力的任何加速都将加剧整个行业的定价压力。

对于在被部分禁止参与政府采购后与中国市场有着复杂关系的美光来说，更强大的国内竞争对手的出现是一种不受欢迎的发展。

CXMT 于 2026 年底实现的 HBM3 目标雄心勃勃，但考虑到其发展轨迹，并非难以置信。 Naura的设备能否提供这些先进工艺所需的精度将是一个制约因素。